推 seii: 氧化反應時所需的氧由觸媒的晶格氧提供,留 59.115.23.160 04/29 18:46
→ seii: 下氧空缺,氣相的氧會補到氧空缺的位置,所 59.115.23.160 04/29 18:46
→ seii: 以跟氧吸附在表面反應不太一樣。 59.115.23.160 04/29 18:46
謝謝大大解釋,那想問一下大致上找過幾篇有關於這個機構的論文,他有所謂的數學MODEL可以用來描述嗎
因為我們老師是說目前沒有一個明確的數學MODEL而且聽說現在這個說法好像也只是推論而不算完全正確
還有晶格氧的概念是甚麼有點不太了解
※ 編輯: hoptial (36.238.195.180), 04/30/2017 01:14:46
※ 編輯: hoptial (36.238.195.180), 04/30/2017 01:30:30
推 seii: 好像沒有特別廣用的模型,如果用CeO2載體,C 59.115.23.160 04/30 18:44
→ seii: e3+\Ce4+可想像成晶格氧釋放/得到 59.115.23.160 04/30 18:44
是我程度太差嗎QQ我總覺得我還是沒有看的很懂
※ 編輯: hoptial (36.238.195.180), 05/01/2017 00:25:50
推 seii: 呃...可以說說看哪裡覺得不瞭解嗎? 59.115.3.111 05/01 17:08
載體那一段可想像成晶格氧釋放/得到這一句是甚麼意思?
※ 編輯: hoptial (36.233.4.191), 05/02/2017 22:13:52
推 seii: 如Au/CeO2觸媒 載體CeO2,Ce4+ 放出氧變3+( 59.115.3.111 05/02 23:07
→ seii: 釋出晶格氧)氣相的氧補回又變回4+(得到晶 59.115.3.111 05/02 23:07
→ seii: 格氧)在CO氧化反應裡這種性質能提高Au觸媒 59.115.3.111 05/02 23:07
→ seii: 反應性,相關paper很多 59.115.3.111 05/02 23:07