小弟最近在研究FinFET製程中Poly的profile
想問各位大大我的認知是不是正確的：
示意圖中poly的gate height位子 會作成上寬下窄是為了在poly remove好把poly 掏乾淨
及好填work function metal填的好；
而在poly fin top 到poly fin bottom中Fin bottom的poly做的寬是為了降DIBL
如示意圖：
https://i.imgur.com/tRZMWLa.jpg
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