[問題] [電子學] CMOS反向器簡單觀念

[chungfei ()]

各位同學大家好  下圖是我看不懂的地方
http://ppt.cc/yid9
http://ppt.cc/~AW4
為什麼對Qp與Qn所組成的反向器來說,當Vi>Vtn時,Qn在飽和,Qp在三極.
我先說說Qn好了,對NMOS來說,當Vgd<Vt時在飽和,如今,Vg=Vi ,Vd=Vo,
所以Vi-Vo<Vt ,Vi-Vt<Vo   接下來就不知道了....
不知道怎麼將Vi-Vt<Vo和Vi>Vtn搭上關係,因為我根本不知道Vo準位呀

謝謝各位

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推 shunci: Vi<Vtn, Vo=Vdd,當你逐漸把Vi調大,Vo會從Vdd往下掉
→ shunci: 所以NMOS一開始是在飽和區
→ shunci: 另外一種看法,Vi逐漸調大到>Vtn後,NMOS導通能力較弱,而
→ shunci: PMOS導通能力較強(因Vsg較大),所以因上下電流必須相同關係
→ shunci: Vo會被控制在接近Vdd的位置使PMOS進入三極管區