推 joy830: BODY DIODE是反向的 03/13 15:25
→ dick801208: Mosfet 導通 是短路狀態應不會流過二極體 03/13 15:39
→ dick801208: 只有在盲時 二極體才會通 03/13 15:42
→ flylikeswind: 我的意思是 當主開關截止 同步的開關導通時 03/13 15:43
→ flylikeswind: 不會有電流也跟著流過body diode嗎? 03/13 15:43
→ flylikeswind: 還是一般都會把DS端反著接 跟此圖不太一樣? 03/13 15:44
→ dick801208: 本體二極體不會導通 同步mosfet turn on 二極體跨零電 03/13 15:55
→ dick801208: 位是逆偏 03/13 15:55
→ p20162: 你想像電流是偷懶的傢伙 只會走好走的路 03/13 15:56
推 yudofu: MOS turn on的壓降一般會遠低於body diode，按照VI的curve 03/14 00:01
→ yudofu: 即使有導通在V很小的情況下I也會非常的小，可以視為無電流 03/14 00:02
→ yudofu: (方便計算) 一般的power mos其Rdson都會選擇30~100 mohm 03/14 00:03
推 guecet: 把他們想像成電阻就可以理解了，假設Diode是10 Ohm，Rds是 03/15 04:01
→ guecet: 1 Ohm，在有Rds的情況下損耗會比沒有Rds還要小 03/15 04:03
推 cebelas: 一般來說會串上一個蕭特基二極體 03/15 21:49
→ cebelas: 避免他流過去 03/15 21:51
→ cebelas: 因為實際上power mos跟一般 03/15 21:52
→ cebelas: lateral 的cmos不一樣 他的幾何 03/15 21:53
→ cebelas: 結構沒有對稱 s d端是固定的 03/15 21:53
→ cebelas: 下臂開關導通時bode diode會導通 03/15 21:54
→ cebelas: 我上面打錯 是並聯 03/15 21:55
→ cebelas: bode diode特性不好 導通阻值大 03/15 21:55
→ cebelas: 所以操作在高頻或高電流時loss很大 03/15 21:57
→ flylikeswind: WOW 謝謝各位的幫忙 03/16 08:52