[問題] spice模擬mos D&S對調

[kb76628 (angela)]

各位先進好,
最近模擬MOS元件特性遇到一個問題,
單獨模擬一顆NMOS,gate給一個pulse,VDS=VDD,在transition下看電流,
在spice描述中一般會照D G S B的順序命名節點，
因為mos 的drain & Source是對稱的
，理論上D&S對調，在spice模擬應該只是電流方向不同，但大小一樣。

但模擬結果http://0rz.tw/b2GAE
顯示條件二 transition current會略大，但穩態電流一樣，
請問這模擬結果合理嗎?如何解釋呢?

condition:
1.MN1 vd  vg vs gnd nch w=Wpg l=Lpg
2.MN2 vs  vg vd gnd nch w=Wpg l=Lpg (D&S對調)
vd  vd gnd 'VDD'
vs  vs gnd  0
vg  vg gnd PWL 0 0 0.2n 0 0.3n 'VDD'

感謝各位先進回答指教!




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※ 編輯: kb76628 (49.159.186.55), 04/05/2015 02:44:16
推 obov: 你的vg是不是少惹一個vg
→ obov: 合理的解釋就是  model不準  滿意惹八
→ kb76628: obov大 我貼錯了 實際code有 感謝指教
※ 編輯: kb76628 (49.159.186.55), 04/05/2015 10:02:57
推 darky897: 應該是因為有一邊 doping比較濃吧 你查一下通常是哪一
→ darky897: 邊會比較濃呀～
推 CaskY: Body effect問題吧
推 woko: 問廠內的人這顆MOS的model是不是對稱製程,
→ woko: 有個是對稱的製程有的是不對稱的製程,
→ woko: 會影響S/D是否能對調
→ woko: 不過看你的模擬結果差異並不大,也許是body電流造成的