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小弟最近在做一個電路需要使用到memory 我是使用Artisan的memory compiler來產生出sram 之後我看合成後模擬是將memory compiler產生出的lib檔轉成db檔 再將這些db檔都寫在.synopsys_dc.setup中的link_library和target_library 然後將top module(包含我的數位電路以及數位電路與sram的連接,但不包含sram.v) 拿去跑合成,之後應該就照原本的流程,將netlist.v和sdf檔存出就可以跑gate-level才對 但是在跑gate-level模擬的時候會出現timing violation,主要是說違反sram的hold time (我看到的教學是將db讀入後再去合成,就可以順利跑合成後的模擬) 請問是我有哪些步驟有疏忽了嗎?或是應該還要再加入其他步驟呢? 先謝謝各位的回答! P.S.design compiler如果沒有吃dw_foundation.sldb會造成什麼影響嗎? -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 140.114.213.128 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1430235884.A.040.html
hkrist: 有沒有人可以回答一下我的問題呢? 04/29 17:48
michael6172: 去看看波形搞不好真的有hold time violation,還有有C 04/29 19:45
michael6172: IC hotline可以問 04/29 19:45
hsujerry: 這真的只能問還在LAB的,離開後沒碰一記憶下就消失啦~ 04/29 21:28