作者burt800602 (123456789)
看板Electronics
標題[問題] 關於OP的設計
時間Sun Jul 12 16:24:28 2015
各位前輩好，碰到了一個問題卡了很久
小弟目前在做offset canceling，使用CHOPPER的架構去做
在還沒使用CHOPER時，有先在OP的input bias加上了10mV的DC offset，
看看是不是每個電晶體都操作在飽和。
問題來了，我OP加上10mV的offset後，會有許多電晶體沒有在飽和區
我用的OP架構是Folded cascode，且有加上一個理想OP作為CMFB用，
之前運氣好有用出一顆OP是可以加入30mV的offset，電晶體都還有全部在飽和區
，但是那個架構是Two-stage的架構，現在是因為換了製程所以要重新設計，
想請問一下在設計上我有哪些地方沒注意到?
我輸出端cascode部分的電晶體，Vov都為0.3V，所以我BIAS的設計就是
以Vov=0.3V來設計的，電流為260uA，增益為88db，VDD=5V，附載10pF
VCM在2.5V 用的是0.5um製成。
另外想請問一下，因為我有去掃他的ICMR，範圍落在(0.2V~4V)都有88db的數值
，所以他的ICMR應該就是3.8V，這樣講應該對吧?
若ICMR=3.8V，不是代表他的輸入的可變動量應該滿大的，為什麼會加入10mV
就掛掉呢?
還有請問CMFB要怎麼設計才適當呢?
找了滿多資料都沒有講設計方面的部分
目前只知道電流要大點好而已，
我有想過是不是因為CMFB設計得不好，
所以電流拉不回來，導致電晶體進入linear?
謝謝!!!
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推 CaskY: 我猜你的10mv是在open loop下測的 07/12 17:22
→ CaskY: 被放大88db後炸裂應該不太意外 07/12 17:23
→ kerkerker: 同樓上猜測! 07/12 18:02
→ kerkerker: 然後應該是0.5um而不是0.5nm 07/12 18:02
推 DamnKobe: .5nm 哪家foundry這麼強! 07/12 18:06
※ 編輯: burt800602 (134.208.61.232), 07/12/2015 20:13:36
→ burt800602: 謝提醒，一時筆誤 07/13 00:00
推 obov: 理論上gain夠大 沒在飽和區是沒差喇 07/13 01:11
→ obov: 不過執著飽和是個好習慣就是惹 07/13 01:11
推 mlda888: ob"_"ov 07/13 03:59
→ burt800602: 謝謝C大跟K大的回答，但看完回答之後覺得我沒有把問題 07/13 21:56
※ 編輯: burt800602 (134.208.61.232), 07/13/2015 22:00:24
→ burt800602: 問好，但因為好像無法使用圖檔..所以我盡量把問題描述 07/13 22:02
→ burt800602: 清楚，我說的Offset是指加上的那個東西在CM，我的認知 07/13 22:07
→ burt800602: 應該不會受增益的影響，所以應該跟open或close沒關聯 07/13 22:08
→ burt800602: 若我觀念有錯請幫忙改正感謝!! 07/13 22:10