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各位好: 小弟我在實作10 bits SAR ADC使用90nm製成,動態性能一直很差, 已經有使用數位校正的技術,但性能還是上不去, presim的結果: 100Mhz取樣率,10Mhz輸入頻率,我的ENOB只有 8.6bit; 所以在想是不是Bootstrap Switch的問題,所以對Bootstrap Switch作1024點的FFT,結果如下 取樣率100Mhz 輸入频率 1Mhz下 ENOB=13.057 SFDR=83.33dB 但是换成 輸入频率 10Mhz下 ENOB=10.45 SFDR=69.82dB 是不是這樣的解果會導致我全電路的性能不好? 那要如何改進? 謝謝各位 電路圖如下 https://imgur.com/7ZZ3Ucg -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 220.143.201.208 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1440768997.A.04E.html
rogerham: 跑Nyquist input,噴了就表示你AD用這SH會噴 08/28 22:44
ff1268: 谢谢你的回答,弱弱的問一下Nyquist input是指取樣率一半 08/28 23:30
ff1268: 的輸入頻率嘛? 08/28 23:30
opq77114: 影響switch線性度的是Ron,影響Ron的變數是那些? 08/29 00:11
opq77114: 如何改善那些變數? 朝這方面下手應該能改善你的問題 08/29 00:12
owenroy: M4 body接錯 08/29 00:12
ff1268: 謝謝各位的回應,我會從Ron在想一下,應該是Ron越小,線 08/29 00:45
ff1268: 性度越好? 08/29 00:45
ff1268: 謝謝owenroy的回答,M4 body不是跟souce端接body effect 08/29 00:46
ff1268: 越小?這樣不是比較好嘛? 08/29 00:46
wing2359930: 推推看m4在圖中的d端的最高電位 在想想MOS的對稱性@@ 08/29 12:53
owenroy: n2電位會比vdd高喔 08/29 20:36
ff1268: 謝謝各位的回答,那請問這樣的電路性能怎樣算合理? 08/29 22:42
yudofu: 看用在哪裡跟負載大小 08/30 00:33
h94jo3cl4: 做10bit至少12~ 08/30 20:39
baoerking: 你計算snr取的頻寬是一樣的嗎? 08/31 09:00
ff1268: 謝謝各位的回答^^,請問baoerking你說的是什麼意思呢?我 08/31 11:36
ff1268: 是在sp檔中下.fft來做運算的 08/31 11:37
dinocyj: 這個電路只要注意ENOB嘛? 還是有其他的要注意呢? 謝謝: 08/31 16:24
dinocyj: ) 08/31 16:24
ff1268: 我是還看THD & SFDR,不知還有沒有其他重點 09/01 14:17