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大家好 小魯在設計SAR ADC之比較器時 沒有顧慮到此問題(Antenna Rule) 小魯的MIM CAP相對於比較器的input gate 比例超過限制 小魯上網查了一下 可以用跳線法解決此問題 但是有點不是很理解這方法的使用規則@@? 另外小魯想到的方法是 加大input pair 的sizing 但是pre-sim的ENOB卻因此而下降 想問各位前輩 有更高深的解法嗎@@? 另外有方法在pres-im 就事先預防嗎? 謝謝您耐心的閱讀:) -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 111.248.117.235 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1441812180.A.839.html ※ 編輯: dinocyj (111.248.117.235), 09/09/2015 23:25:16
EZjoy: 電容下板先往上層metal走,再往下接到你要的地方 09/09 23:35
小魯使用的是top plate sampling cap的上板(M6) 必須接到比較器的input 和 SAH 使用的的製程(U18)最高也是M6 另外小魯想加問 小魯把PDK裡的MIM CAP flatten後 把它由原來的長方形改成 正方形方便layout 也想看能否減少寄生電容 不知道這樣做會不會影響到真實的電路呢? 另外小魯看到M6 連接MMC層是使用VI5 這樣對嗎@@? 第一次拆PDK 而且是最重要的電容.... 我覺得有點恐怖QQ ※ 編輯: dinocyj (111.248.117.235), 09/09/2015 23:51:22
nevinyrrals: diode09/09 23:51
kameng: 加diode應該是最快的09/10 00:42
EZjoy: PDK給你的應該是一端出在M6一端出在M5,M6那邊就接比較器輸 09/10 01:40
EZjoy: 入,M5要先用via接到M6走一段之後再用via接到低層Metal,然09/10 01:40j
EZjoy: 後再接到你的inverter輸出09/10 01:40
EZjoy: 另外,電容不建議自己修改,因為你改了之後,mismatch mide09/10 01:41
EZjoy: l就不準了09/10 01:41
EZjoy: ”model"09/10 01:42
他是長方形的 bottom的M5 有在旁邊上到M6 -------------------------------------- | -------------------------------- | | | | | | -------------------------------- | | | | -------------------------------- | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | ------------------------------- | | | ---------------------------------------| 不知道為啥畫完圖右邊分開了0.0 因為有多餘的地方 小魯把他拆掉@@ ※ 編輯: dinocyj (223.137.202.151), 09/11/2015 02:34:52
lusitani: Input pair的Cin對電容陣列造成charge sharing了吧? 09/11 06:00