目前正利用SentaurusTCAD做FinFET元件的模擬，
發現單獨include B2B model or Highfield saturation model時，
兩者都可以work，
但同時include卻一直無法收斂。
之前採取過多種方式(重切mesh，改變voltage的step等)都還是呈現發散狀態。
所以想請問是不是有辦法可以分段include不同model呢?
例如:-Vg~0V考慮B2B，0V~+Vg考慮Highfield saturation
類似if...else...的概念
謝謝:)
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