[問題] 一篇光感測器論文的相關問題

[jimmy6247 (Neo)]

先附上paper

https://mega.nz/#!LlkgmRiR!J7jRLST8nPMQahz60_jGE52ea2fruLNk_O32Lh_DSPI



Figure.4，也就是下圖，想請大家用淺顯易懂的方式說明這圖片表達的意思

http://i.imgur.com/LKBaKk2.png

(此圖在論文中就是如此模糊，還請大家見諒)



以及Figure.5

http://i.imgur.com/iZK0m9E.png

想請教大家這張圖中的每個block功能是什麼(paper內似乎沒有多加敘述)





為感謝願意解答者，這兩個問題各1000P幣會贈送給幫忙的好心人們

謝謝~

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 122.121.219.220
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1464702662.A.C43.html
※ 編輯: jimmy6247 (122.121.219.220), 05/31/2016 21:52:15
→ dsplab: 使用GBT技術的二維黑白影像偵測器，在不同的光電流值下，
→ dsplab: 針對辨識相同數字下所需的曝光時間與電壓比較器輸出值關係
辨識相同數字這部分可否在解釋更清楚一些，聽得不是很懂..QQ

另外電壓比較器輸出的部分，它輸出的值代表什麼意思呢?
※ 編輯: jimmy6247 (122.121.219.220), 05/31/2016 22:58:19
第一題我好像有看懂了，這邊會給dsp大1000P

第二題尚未看懂，希望有人可以幫幫小弟，謝謝
※ 編輯: jimmy6247 (122.121.219.220), 05/31/2016 23:18:17
推 cpyi: PD產生光電流導致FD node電壓下降 光電流不同 下降斜率也會
→ cpyi: 不一樣 比較器其中一個輸入是固定的位準(模糊圖中Reference)
→ cpyi: 下降斜率越大 到達這個Reference Level的速度就越快
→ cpyi: 以此做為輸出 所以比較器的輸出是類似PWM 光越強 切換點越早
→ cpyi: 所以模糊圖中上面是最強光 曝光一下 就到達Reference而切換
→ cpyi: 其實比較器到SRAM中間還要有一些邏輯電路 把Pulse長度轉成
→ cpyi: 真的數位訊號 V-scan就是檢測不同行的 H-scan就是輸出同行
→ cpyi: 中不同Cell的資料(跟Memory差不多)
推 cpyi: 修課剛好上過CIS的設計~
→ cpyi: (修正: FD node電壓是上升)
→ jimmy6247: 請問V-scan檢測不同行的意義是什麼 為什麼需要檢測呢?
推 cpyi: 你好像不太懂Memory操作 CMOS Image Sensor是一個陣列
→ cpyi: 就是總共有176行 144列 然後讀出電路一次只能讀出一行
→ cpyi: V-scan就是一次選一行來讀取 對應到Fig.1的V_SEL
→ cpyi: 要讀這行 就把這行所有Cell的V_SEL拉起來 再讀取
→ cpyi: (行->row 列->Column，這樣比較清楚)
→ jimmy6247: 好像有點懂了 那想問h-scanner也是差不多的媽?
→ jimmy6247: 還有SRAM的功用何在呢?
推 cpyi: h-scanner是把同一行的依序輸出 如果是平行輸出 那一次把整
→ cpyi: 行輸出也可以 SRAM大概就儲存轉換後的資料吧(比較器跟SRAM
→ cpyi: 中間應該還要有一些轉換的Block
→ jimmy6247: 感謝 等等會將P幣奉上~
推 shengyeh: 參考一下 DUAL SLOPE ADC