版上的各位大大好
最近在算崩潰電壓
使用了 第三版 施敏半導體元件物理 p130的公式
半導體崩潰電壓的近似表示式(for 陡峭街面)
Vbd = 60 * (Eg/1.1eV)^1.5 * (N/10^16 cm-3)^(-0.75)
N為矽的雜質濃度:10^12 cm-3
結果算出來值為 Vbd = 60000V
使用一些網站上的計算器
也是算出這值附近
但是 實際上矽的崩潰電壓也不太可能加到那麼高
實測 大約在20V上下就爆了
所以在想是否哪算錯QQ
再麻煩大家幫忙看看或給個意見
感恩
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