推 avp123: Charge trapping or de-trappong 08/12 02:19
→ avp123: 我是量二元金屬氧化物薄膜TDDB也會發現這種現象 08/12 02:28
各位安安,
最近遇到一個量測上的問題,
量測狀況是 hetero junction P+/N diode, P+給0V, 偏壓加在N端, 從-2V量到+10V,
第一次量測的時候反向偏壓有極大的漏電流, 而同一條件下再量測第二次第三次
反向偏壓漏電流明顯降低改善(第二跟第三次IV曲線很接近), 想請問各位有沒有
遇過類似的問題嗎? 同一條件下有些DUT量第一次就沒這個問題
我想法猜測(不確定...)
1. 量測前就有 charge 存在diode中, 造成第一次量測有看到明顯漏電情形
2. diode表面的介面中有 recombination center, 會影響第一次量測情形, 通過
大電流後介面有annealing效果使得漏電情形改善.
3. 探針跟contact沒有緊密結合, 所以過了一次大電流後, 電極金屬跟探針結合狀況
改善.
請各位板友解惑, 感謝
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 220.143.65.187
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1470920454.A.DAC.html
※ 編輯: aladean (220.143.65.187), 08/11/2016 21:01:58
※ 編輯: aladean (220.143.65.187), 08/11/2016 21:02:56
※ 編輯: aladean (220.143.65.187), 08/11/2016 23:40:08