→ MOSHEMT: 霍爾量到跟從電流回推的都是電子遷移率 霍爾量會比較接 08/24 00:26
→ MOSHEMT: 近理想值 用電流回推除了電容值會有影響外 也會受散射影 08/24 00:27
→ MOSHEMT: 影響 載子遷移率會比較低 08/24 00:27
推 yudofu: 多數載子跟飄移是不同的吧 08/24 00:32
※ 編輯: aladean (218.164.43.253), 08/24/2016 20:55:41
薄膜材料的載子移動率可以由霍爾量測得到
而做成TFT之後, 從Idson的數值也可以推回去算出得到有效載子移動率
想請教板友
這兩種載子移動率有相關性嗎???
還是不同狀況沒法互相比較?
感謝各位回答
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