Re: [問題] LDO中pass transistor的工作區

[jamtu (月光下的智慧)]

我沒有實際tapeout過LDO，不清楚實務上的考量

以下給的建議單純是就我做一般放大器/ADC的經驗來看


首先先釐清一個定義：VDS > VDSAT 即操作在 saturation 或是 subthreshold

VDS < VDSAT 即操作在 linear region (triode region)

這個關係實際上並沒有那麼一分為二，不過差不多可以這樣看

這個VDSAT會隨著device的不同變動，所以你看到0.5V或是0.15V都是可能的值

我用0.18大概就是0.15V左右，但是可能某些高壓製程比較高

在電子學課本最基本的model裡面，VDSAT定義成VGS-VTH


在相同的VGS之下，由VDS-ID的圖得知，VDS若小於VDSAT，電流會變小

所以固定ILOAD，若VIN非常靠近VOUT，首先會先碰到VDSAT這個阻撓

如果要更靠近，操作在linear region

那麼可以想像pass transistor的VGS必須要更大，才能撐住這個電流

至於是更大到多少，看你的製程，我認為空間應該是不大


就小信號穩定度的觀點來看，電晶體操作在linear region的Gm會變小

那就看你這整個loop的pole跟zero怎麼擺放去決定了

一般來講我會認為 主Gm(dominate unity gain frequency Gm/C) 變小系統會更穩定

但是這幾年的LDO設計很複雜，我也不敢妄加揣測



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※ 編輯: jamtu (61.62.111.50), 09/17/2016 02:18:18
推 zxc44560: 推
推 wxes60711: LDO linear跟triode都看過有人使用 不過真的要講LDO
→ wxes60711: 應該是要操作在triode 這樣dropout voltage才會夠低
→ wxes60711: 第一行講錯了 saturation跟triode(linear)
→ wxes60711: saturation 同樣power下 因為Loop gain夠大 PSRR可以比
→ wxes60711: triode更好 但是compensation比較難做
推 shengyeh: 補償不一定 要看主極點設在在哪裡
推 wxes60711: saturation pass transistor的high gain會比較難做
→ jamtu: 的確還有一個DC loop gain的問題
→ jamtu: 我自己前幾年有看到有paper的PSRR是注重AC特定頻率的部分　
→ jamtu: 可能這個角度來看就沒有那麼critical了
推 obov: .18你用native nmos 做LDO  屌打pmos  就電晶體大而已