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就是小弟現在遇到一個問題,就是在量測 mosfet Id-Vg時,發現當我的substrate current measure range設成最1E-9最精密時,在vg快到 Vth時device便會burn out, 當我把rangeg設成 Ibb maximum level時,device便會活,不知道 大家有遇過類似的情形嗎?我在網路上找不 到類似的資訊,想不透其中的機制是什麼? 謝謝大家 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 114.43.197.204 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1474645190.A.003.html
lisasweet: 因為系統幫你擋下來了~~~~ 09/27 18:58
lisasweet: Ibb maximum level時,不會讓你無限制超過系統能夠負載. 09/27 18:59
lisasweet: 但你自設量測range時,系統不擋,所以會燒XD 09/27 18:59