推 highcal24: DIBL是因為source端能帳下降使元件更好通造成VT上升 09/26 23:07
→ highcal24: Body effect 是因為body加電壓使drain端的PN接面逆偏 09/26 23:08
→ highcal24: 空乏區變大 吃掉channel 使Vt上升 09/26 23:09
→ crab321: 回應一下樓上H大，抱歉可能是我的描述不夠清楚。 09/28 09:40
→ crab321: 我記得書上說的DIBL 是因為短通道元件下，DRAIN偏壓增大 09/28 09:42
→ crab321: 導致DRAIN端的空乏區(相較BODY為逆偏)往通道延伸，並且 09/28 09:43
→ crab321: 靠近SOURCE 與其相互作用導致SOURCE的能障減低，載子容易 09/28 09:44
→ crab321: 流通，而降低Vth 09/28 09:44
→ crab321: BODY EFFECT 則是因為基板相較於SOURCE有一低偏壓Vsb， 09/28 09:47
→ crab321: 使得基板端費米能階向上抬升，能帶彎曲增大，表示SOURCE 09/28 09:49
→ crab321: 的空乏區往通道延伸，因為空乏區為帶負電性電荷，因此考 09/28 09:50
→ crab321: 量電中性，GATE端需要更多正電荷(表示需要更多正偏壓)， 09/28 09:51
→ crab321: 因此Vth增加。 09/28 09:51
→ crab321: 而我的疑問是，同樣都是空乏區往通道延伸，怎麼造成的影 09/28 09:52
→ crab321: 響截然不同?? 09/28 09:53
推 highcal24: 因為DIBL 效應的condition下 Vg和Vd給偏壓 同時會有其 09/28 10:23
→ highcal24: 他效應發生，而body effect的condition僅需要考量body 09/28 10:24
→ highcal24: effect的效應，仔細看後 DIBL效應在drain加大電壓後 09/28 10:25
→ highcal24: 也會有其他效應 09/28 10:25
→ crab321: 不太懂，BODY EFFECT和DIBL不都是有Vg和Vd，只是前者多了 09/28 11:25
→ crab321: Vsb的偏壓 09/28 11:25
→ hoppy0626: DIBL造成drain端depletion region變大 這件事和DIBL並 09/28 19:08
→ hoppy0626: 非一充要條件 重要的是channel要夠短 造成source端的 09/28 19:08
→ hoppy0626: energy barrier下降 也就是說 在source端depletion 09/28 19:09
→ hoppy0626: region是變小的 而body bias則是相反 增加source端的 09/28 19:10
→ hoppy0626: energy barrier 09/28 19:10
→ hoppy0626: 重點是在source end的potential barrier或depletion 09/28 19:12
→ hoppy0626: region 看你喜歡哪一種理解方式 09/28 19:12
→ crab321: 回應樓上HOPPY大，會有這疑惑是因為在學short channel 09/28 20:26
→ crab321: effect 時，書上的解釋是因為source & drain 兩端的 09/28 20:26
→ crab321: space charge region往channel 延伸，因此gate能控制的 09/28 20:27
→ crab321: inverse charge 變少(剩下梯形區)，所以Vth降低。 09/28 20:28
→ crab321: 為何body effect 同樣source 端 depletion region 往通 09/28 20:30
→ crab321: 道延伸，反而增加Vth? 09/28 20:31
推 hoppy0626: 如果是從charge sharing的角度 可能negative body bi 09/29 09:06
→ hoppy0626: as也會增加channel的depletion region 09/29 09:06
→ hoppy0626: 應該說垂直方向的depletion也會有影響 09/29 09:28
→ hoppy0626: 不過DIBL要如何用charge sharing解釋 你說的梯形depl 09/29 09:33
→ hoppy0626: etion應該是用來解釋Vt roll-off 09/29 09:33
→ hoppy0626: 我還沒想清楚dibl的解釋 09/29 09:34
→ hoppy0626: 我個人覺得用potential energy的方式想比較簡單XD 09/29 09:36
→ crab321: 在施加body bias時造成的source的depletion region延伸， 09/29 10:16
→ crab321: 不論是水平亦或是垂直方向，region內的電荷都是受Vsb控制 09/29 10:17
→ crab321: 所以就Vg角度而言，應該就像short channel effect類似， 09/29 10:19
→ crab321: 可控制inverse charge變少，Vth 應該下降?! 09/29 10:20
→ hoppy0626: 我指的垂直方向是在gate以下 不是S/D to body 09/29 14:21
→ hoppy0626: charge sharing model的精神應該是在於用channel中的 09/29 14:28
→ hoppy0626: depletion charge去找Vt的大小 由於short channel的時 09/29 14:29
→ hoppy0626: 候 channel裡的depletion charge不完全是被gate所控制 09/29 14:30
→ hoppy0626: 有一些是SD與channel間的junction depletion 09/29 14:31
→ hoppy0626: 因此當channel縮短之後 填滿channel depletion的charge 09/29 14:32
→ hoppy0626: 的量減少 Vt因此降低 然而body bias會造成垂直方向的ch 09/29 14:33
→ hoppy0626: annel depletion變大 Vt自然也提高了 09/29 14:33
→ crab321: 感謝，上面一段話幫助我釐清short channel和body effect 09/29 14:59
→ crab321: 的相異處。 09/29 14:59
→ crab321: 不過因為不能理解DIBL降低Source的barrier的背後機制，所 09/29 15:01
→ crab321: 以才嘗試著用charge sharing model 去理解，指可惜好像撞 09/29 15:02
→ crab321: 牆了....不知道有沒有其他的理解方式?一般書上就只說Vd增 09/29 15:03
→ crab321: 加，在short channel device，會使得source的potential 09/29 15:04
→ crab321: barrier 降低，載子更容易跨越，subthreshold current 增 09/29 15:06
→ crab321: 加.... 09/29 15:07
→ hoppy0626: DIBL我覺得不難理解 當drain端的電壓高 而且channel 09/29 18:39
→ hoppy0626: length短的時候 drain端的電場就會通過depletion regio 09/29 18:39
→ hoppy0626: n 去影響source end barrier 09/29 18:40