→ romjava: Channel length effect 指的是source drain 與Gate 底下 10/06 20:48
→ romjava: 通道效應,此是MOS在操作時Source drain 的空乏區與通道 10/06 20:50
→ romjava: 電荷產生的空乏或反轉層來影響電晶體的起始電壓threshold 10/06 20:52
→ romjava: Voltage 有關,width 方向是指Gate底下通道到Field oxide 10/06 20:54
→ romjava: 間的鳥嘴會分散通道的電荷,因電荷被分散使的起始電壓改 10/06 20:56
→ romjava: 變,稱為 10/06 20:56
→ romjava: narrow width effect 10/06 20:56
→ highcal24: 感謝r大,已跪 10/06 21:04
→ highcal24: 所以這裡的width和mos的。width 10/06 21:07
→ highcal24: 不是同一個width囉? 10/06 21:07