[問題]MOS threshold voltage為什麼跟尺寸有關?

[woko (孤.獨.一.痕)]

如題
爬了前面討論串
好像只有一篇有說到Vth跟MOS尺寸有關
(敎科書上的Vth是簡化過的)
但沒有再深入討論下去
請教各位前輩
有這方面的文獻可以參考嗎?
感謝~~~

p.s.

看了HSPICE的.lis檔案
裡面的不同偏壓以及不同尺寸條件下的Vth
是依據建立model時的test key所fitting出來的嗎?

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 49.214.135.172
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1476500296.A.7E0.html
※ 編輯: woko (49.214.135.172), 10/15/2016 11:01:37
推 w3dB: 雖然我不是半導體專業 不過你畫個MOS剖面 想一下Vth是怎麼形
→ w3dB: 成 應該就會有一個直觀的想法惹
是指形成反性層所需的電壓跟需要"清空"的多數載子有關嗎?
不過為什麼教科書上所列的的Vth公式都沒有MOS尺寸的參數呢?
(教科書=>Smith第六版 & Razavi的Analog CMOS IC Design)
有相關文獻可以提供參考嗎?
※ 編輯: woko (49.214.135.172), 10/15/2016 12:53:06
推 Samael: 最後一句話是大哉問
推 Baneling: 這問題探討起來太深了, 光濃度跟能階這種東西的問題,不
→ Baneling: 同尺寸的電晶體怎麼可能會是一樣的 -.- 如果是設計電路
→ Baneling: 我倒覺得這些東西當作前提或知識就好..
推 cpyi: non uniform dopping
→ cpyi: 這不深 算常識
→ lovealgebra: Google flat band voltage