推 jeffic0730: 印象中，看哪邊導通時間長，就放大電流那顆 11/01 10:02
如題
假設一VRM電路
使用On-Semi的4983NF和4C10N組成1 Phase
查datasheet
4C10N 30V/46A
4983NF 30V/106A
low-side FET會被當作是high-sideFET的負載
所以low-side FET會需要採用電流承載能力較大的
故可以判斷4983NF是low-side ，4C10N是High-side
這樣的方法是對的嗎? 還是需要更詳細的手段來判斷?
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