推 cpyi: npn上面的junction也是反偏 電子因為空乏區的電場會快速通 11/14 13:17
→ cpyi: 過junction mos原理亦同 11/14 13:17
大家好
小弟有個很基本的問題困擾我蠻久的
就是當mos在操作的時候
通道pinch off點到source端中間會有一個反偏的空乏區
記得反偏的pn junction是沒辦法有明顯電流通過，操作電壓也還沒到崩潰電壓
在一些地方 我們也會用反偏來做device的isolation
那電子是怎麼穿過空乏區到達source端呢 電場嗎
謝謝
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