[問題] NMOS導通時body diode的行為

[deansam (hunter)]

請問一個功率NMOS在turn on的時候，

此時電路的電流方向為由S流向D端，

若瞬間的電流非常大達數百安培導致Rdson上的跨壓極大，

甚至遠大於body diode導通的跨壓

此時電流會如何流動?

因小弟非半導體相關 對NMOS結構不了解 只能從等效模型來推斷

照等效模型來看電流應該會完全走body diode而不走N通道

請問是否正確?

感謝

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 36.231.97.60
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推 joy830: 不會超過
→ GiantChicken: MOSFET應該會先屎掉
推 W28327688: 如果Isd*Rds(on)>Body diode的Vt，Isd會分流
感謝回覆 如果是瞬間一根大電流幾百A 照MOS datasheet來看Isd*Rds(on)已經遠大於
此電流下body diode的跨壓 此時會分流還是完全流過body diode呢?兩者跨壓差了兩
倍以上
※ 編輯: deansam (36.231.97.60), 11/23/2016 22:15:54
推 hsujerry: 這種情況有點像靜電放電(ESD)發生的情形，NMOS下的雜散
→ hsujerry: BJT或SCR會因為突來的高壓/高電流而導通或崩潰，此時的
→ hsujerry: 元件特性已不在普通等效模型的範圍內~ ESD的時間短暫，
→ hsujerry: 總能量有限，大部分有考量過的元件還能承受，承受不了的
→ hsujerry: 就會燒壞(不一定能從外觀看到)，長時間高壓高電流應該算
→ hsujerry: 是過度電性應力(EOS)，理論上正常操作情況下應避免出現
推 hsujerry: http://i.imgur.com/OaEVb3s.jpg 圖中Id在Vds接近BV時直
→ hsujerry: 線上升，對應到實際情況就是發熱、再來就燒惹~
推 im7260393: 接W大的話，會分流直到Isd*Rds=Vd，bodydiode流過電流
→ im7260393: 也是有壓降有等效內阻的
推 NMOS: 你確定嗎？