[問題] 請問Flash的page/sector erase..

[fakenews (賈欣雯)]

最近碰到一些問題不是很明白
元件在測試flash"Page erase"的時候因為Disturb導致fail
(先經過cycling讀寫一定次數)
不過老闆說一般flash都是"Sector erase"
請問這兩種要怎麼區分?
由於在做製程相關接觸這方便比較少..
請問有推薦的書籍或是研究方向嗎?

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 49.159.248.67
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1497971361.A.572.html
推 TWkobe: 要看哪一種flash 有些是block erase
推 TWkobe: 其實具體來說 用sector或block來erase怎麼實作看廠商
→ TWkobe: 不過你說的page erase似乎是page program? 小弟沒看過
→ TWkobe: 有錯請指正
NOR flash,我的理解是sector是整面erase後針對單一word line program;
Page erase則是讀寫都只針對單一WL
http://imgur.com/a/MEBSI 類似此示意圖,是不是只要program對於鄰近的WL都
會有disturb?無可避免
※ 編輯: fakenews (49.159.248.67), 06/20/2017 23:48:28
推 TWkobe: sector erase沒有到整面erase這麼大,整面已經是chip erase