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※ 引述《fakenews (賈欣雯)》之銘言: : 最近碰到一些問題不是很明白 : 元件在測試flash"Page erase"的時候因為Disturb導致fail : (先經過cycling讀寫一定次數) : 不過老闆說一般flash都是"Sector erase" : 請問這兩種要怎麼區分? : 由於在做製程相關接觸這方便比較少.. : 請問有推薦的書籍或是研究方向嗎? NOR flash: chip erase, block erase, half block erase, sector erase NAND flash: chip erase, block erase NOR的最小單位是Sector,NAND是Block,應該沒有所謂的沒有page erase 規格表上也沒有page erase。 請問,你所謂的page erase,page是多少byte?耗時多少呢?哪一家的Spec. 我很好奇~ 如果真的切到page來做erase...那鄰近的page或是sector會有很嚴重的disturb 因為是相同的well,搞不好連refresh都沒辦法救,而且chip size會撐得很大。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 180.177.15.128 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1498061830.A.F58.html ※ 編輯: jfsu (180.177.15.128), 06/22/2017 00:19:24
mmonkeyboyy: 我只有在測試片看過有 page erase的 06/22 07:37
mmonkeyboyy: 基本上沒有人做 價錢差太多了 06/22 07:38
mmonkeyboyy: 另一種就是 embedded上面的會有 06/22 07:39
fakenews: 幾乎都被monkeyboy說中 TAG上的Embedded eflash測試chip 06/22 20:15