推 mmonkeyboyy: 你有同時接了一堆東西在量測嗎? 06/22 21:16
※ 引述《jfsu (水精靈)》之銘言：
: ※ 引述《fakenews (賈欣雯)》之銘言：
: : 最近碰到一些問題不是很明白
: : 元件在測試flash"Page erase"的時候因為Disturb導致fail
: : (先經過cycling讀寫一定次數)
: : 不過老闆說一般flash都是"Sector erase"
: : 請問這兩種要怎麼區分?
: : 由於在做製程相關接觸這方便比較少..
: : 請問有推薦的書籍或是研究方向嗎?
: NOR flash: chip erase, block erase, half block erase, sector erase
: NAND flash: chip erase, block erase
: NOR的最小單位是Sector,NAND是Block，應該沒有所謂的沒有page erase
: 規格表上也沒有page erase。
: 請問，你所謂的page erase，page是多少byte?耗時多少呢?哪一家的Spec.
: 我很好奇~
: 如果真的切到page來做erase...那鄰近的page或是sector會有很嚴重的disturb
我想會不會是checkboard資料型態寫入後,erase不乾淨直接影響到隔壁的WL?
: 因為是相同的well，搞不好連refresh都沒辦法救，而且chip size會撐得很大。
確實是一顆Embedded NV Flash Memory, eFLASH 128kB,測試條件是先cycling 10K後
"Program 1 page (checkboard) per sector, background erased"(看不懂..)
另外對eFLASH的一些定義:
Max module size 256kB
Write time(page/block) 1ms
Erase time(byte/page/blocl) 100ms
Endurance 10k/page, 150k/sector
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