[討論] MOSFET Gate Charge Loss

[gir26354 (呵呵)]

最近在看MOSFET的效率
看到一個是Gate Charge loss有個小疑問

給的公式為Ploss=Qg*Vgs/Ts

Vgs很直觀就是閘極與源極所施的驅動電壓
Qg為在MOS從開啟到閉合或閉合至開啟所儲存/放出的電荷量

我的解釋為因為他給的是電荷量，我要算他的功耗，因為他電位差為Vgs
則利用W=Q*V P=W/t 得到上式

而不是利用電容器平行極板的P=0.5*Q*V*t

請問我這樣說明適當嗎 如果有錯請指教 謝謝

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 220.137.93.27
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→ marsplanet: 是乘Ts嗎?不是fsw?
推 mynameisamik:  第二個公式一個週期一充一放*2?
→ gir26354: 不好意思 上面打錯是/Ts 另外P=W/t
※ 編輯: gir26354 (220.137.93.27), 09/07/2017 23:45:58
→ gir26354: 用第二個公式怪點是在放電時vgs為0 他本身電荷放電 一
→ gir26354: 般來說不會算是損耗
推 kkaa02206: 一個理想RC充電的電路 把C從跨壓零到完全充飽的過程效
→ kkaa02206: 率只會有50% 一半的能量會耗在電阻 只有一半的能量會存
→ kkaa02206: 在電容上 用這樣去想應該就通了
→ gir26354: K大這個說法是什麼意思 不太懂