作者qooq1017 (給我一點運氣)
看板Electronics
標題[問題] NOR flash 的 program 方式
時間Tue Apr 17 17:05:30 2018
請教版上高手
最近看資料遇到一些問題
關於 NOR and NAND flash, program/erase 方式
NOR program 使用 channel hot electron injection
NAND program 是使用 F-N tunneling
而 erase 方式 NOR and NAND 均是用 F-N tunneling erase
想請教
1. 為何 NOR flash program 方式不用 F-N tunneling ?
2. F-N tunneling 在 tunnel oxide 需較大跨壓, 理論上較容易對 oxide 造成
damage, 而 NAND 是用此方式, NAND 對 cycling 後的品質要求度較低嗎?
謝謝
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→ samm3320: Nor的結構FN program沒法inhibit 04/17 18:43
→ samm3320: 而且Hot e應該比fn容易damage oxide 04/17 18:46
→ samm3320: Nand reliability比nor差但是是因為cell小很多，而且str 04/17 18:48
→ samm3320: ing 上其他cell在program的時候也會disturb，次數比較多 04/17 18:48
→ qooq1017: 謝謝, 請問沒法inhibit是什麼意思? 04/17 20:23
→ samm3320: 不希望被program的bit不被program 04/17 23:04
→ samm3320: 用FN的話BL要灌高壓，會很麻煩 04/17 23:05
→ samm3320: CSL共用也沒辦法給不同電壓 04/17 23:09
→ mmonkeyboyy: xd 這解釋專業~ 04/19 00:44