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看到 2011 年 IEEE 的 paper,以下這一篇: https://pdfs.semanticscholar.org/22a7/dd7d8c5827a36ff7433081bfecde90ff518d.pdf 它的 Curvature correction 架構如下: https://imgur.com/g6rdcUJ.jpg
https://imgur.com/wPLErmE.jpg
我的理解是他把 Q1.Q3 的 VBE 相減,讓二次項跨在 R5A.R5B 上,產生一個 VTln(T/T0) 項,這個項與 BJT 的 VBE 電壓中的二次項,經由安排 BGP 中電阻可以消除掉。 所以 Q3 應該跟 Q1 個數一樣對嗎 ? 而且 Q3 的 IC 會跟 Q1 接近 ? 另外就是 Q3 的偏壓,文中說的是: biased at a temperature independent collector current obtained by forcing VBG on a resistor with low temperature coefficient. 照文字來講是 VBG 串一個電阻,再接到 Q3 ? 最後一個問題是: 經過 curvature correction 的溫度曲線從下凹變成上凹。 我想問這個上凹的溫度曲線是怎麼來的 ? 我按照電路架構去兜電路模擬後,仍然是下凹的形狀。 百思不得其解,想說我是不是哪裡弄錯了 ? 謝謝大家! -- 願你走出半生,歸來仍是少年。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 61.221.50.94 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1523961409.A.5DD.html
rj45: 如果我沒看錯的話Q3應該是要M顆 Q2N顆 04/22 16:08