推 jfsu: Q1.HCI比FN更會damage oxide是因為多了drain->source電場 05/27 03:00
→ jfsu: 加速成為"hot carrier"，之後受到Gate端垂直電場吸引上去 05/27 03:00
→ jfsu: 可以讀一下lucky electron論文。就是因為多了這個關係，對 05/27 03:01
→ jfsu: oxide才是最傷。不然它可以改稱叫"Cold" carrier injection 05/27 03:02
但是HCI是靠chnnel加速 讓電子有有機會可以被gate吸上去
水平能量夠大增加機會跳過能障到FG 為什麼反而會比較容易產生damage?
( 還是說對oxide比較傷的原因 是電子在channel移動時很像在磨Tox?! )
因為我一直以為FN的情況反而很多時候電子可能會被卡在Tox裡面
所以才會下damage 程度 FN > HCI
→ jfsu: Q2.記得在半導體物理與固態物理教科書有討論4種trap~建議你 05/27 03:03
→ jfsu: 可以去翻一下，flash memory的聖經教科書有一個章節有提到。 05/27 03:04
推 jfsu: Q3.前年有去上過memory reliability的課，好像有提到... 05/27 03:07
→ jfsu: 找到講義再跟你說 XD 05/27 03:08
Q2 我之前翻過上課的講義 分四種
1.interface-trap charge 2.fix oxide charge
3.oxide-trap charge 4.mobile ionic charge
原本我自己的想法是因為在多次cycling 完後 Gm (Swing) 會倒掉
上面四項跟swing比較有關係的是 interface-trap
但是又覺得真的只是單純interface (like dangling bond)的問題嗎
想說cycling的過程中一定會導致新的defect or trap (搞不懂是產生出甚麼東西...)
最後worse case就是導致SILC情況
flash memory bible 是那本綠皮書嗎?! ( Cappelletti ?) 我再去找找
Q3 再麻煩大前輩如果有找到講義在跟小弟分享QQ
推 joshhuang100: Q2以課本公式算一下就會知道，要非常多的缺陷產生才 05/27 10:52
→ joshhuang100: 會造成明顯的Vt漂移，更多時候其實是電子被Intrude 05/27 10:52
→ joshhuang100: 捕捉洗不出來，依照不同結構會更明顯，尤其是3D結構 05/27 10:52
→ joshhuang100: *Nitride 05/27 10:53
※ 編輯: enix09 (1.160.151.133), 05/27/2018 23:43:54
→ samm3320: FN是把能障拉薄，使電子穿隧的機率增加 05/28 23:17
→ samm3320: 電子本身沒有被加速 05/28 23:17