推 timmerix: p+本身低電阻 但左右兜了n+就不是 建議從能帶去想 11/22 18:22
→ timtdsas: 感謝 11/29 11:40
先上個圖
https://i.imgur.com/nLCotMr.jpg
小弟不懂的點是
為何ion implantation可以處理漏電流問題
我們知道說兩個n+和FOX區
假如FOX上面有連接線（提供大電壓）
電晶體會稍微被打開（FOX下面產生反轉層）
用ion-implantation取代掉FOX（在氧化前）竟然就可以解決漏電流問題？
ion-implantation後的區域是低電阻（這樣漏電流不是更多嗎）
希望有大大可以解惑QQ
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我4manu鐵粉 manu魂不滅
https://imgur.com/msMRnFu
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