[問題] I/O經由電晶體控制LED的疑問

[IOP14759 (iop14759)]

小弟若是想用I/O腳經由電晶體控制LED，電路如圖

https://imgur.com/a/Rp8zXMs

目前LED掛在VCC與集極之間

那請問如果我今天只加RB?只加RC?只加RE?有什麼差別嗎?

比如我LED 在IF=100mA時VF=1.4V，MCU High是5V

我只要((5-0.7)/RB)*150=100mA => RB=6.45K歐姆

是不是就不用加RE和RC?

又或者((5-1.4)/RE)=100mA => RE=36歐姆

是不是就不用加RB和RC?

然後如果LED改成放射級有差嗎?

可是我在網路查的都是會LED放在集極然後加RC

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※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1542945745.A.899.html
推 n666160: BE兩端可以視為一個二極體，導通電壓約0.7V，如果E接地，
→ n666160: Vb只要給0.7V就夠了，若是在E的下面加一個LED，Vb的電壓
→ n666160: 就會變成0.7+Vled了。
我剛剛做個實驗只加RC，基極直接接VCC

電源供應器會有類似短路的感覺，好像會燒掉?

可是我RC已經用到1K了，照理說電流不會多大阿

我基極又加一個大電阻才正常，請問是為何?
※ 編輯: IOP14759 (60.248.158.217), 11/23/2018 14:05:34
推 n666160: B不能直接接Vcc，中間的Rb不能省略，因為BE導通之後，Vcc
→ n666160: 會被往下拉到0.7V
感謝

話說電路學問真的好大

我原本VCC串LED串電阻再串到集極

後來VCC串電阻串LED再串到集極，效率就變好了
※ 編輯: IOP14759 (60.248.158.217), 11/23/2018 16:14:19
→ HiJimmy: RB不能省 RE RC 省掉就是變熱都積在電晶體
推 yiting428: 你如果不加Rc，原本Rc要吃的壓降就要由Vce承受，使電晶
→ yiting428: 體損耗Ploss=Vce*Ic增加，電晶體發熱
推 chengb: 這個問題是 LED驅動為了保持各個亮度均衡，必須讓驅動電流
→ chengb: 相等，因此必須使用定電流電路
→ chengb: 因此 LED取代 Re的位置，取消 Rb
推 chengb: 通常 I/O輸出電壓為Vdd,且扇出 電流要小才能驅動許多 LED
→ chengb: 每顆電晶體的 Hfe不會相同，所以不能有 Rb
推 chengb: 加上 Rc就需拿掉 Re讓電晶體工作在飽和區，這跟定電流電
→ chengb: 路完全不同想法