[問題] 蕭特基接觸

[laminar (lalala)]

板上大大好

最近在研讀半導體時有些疑問



關於 汞探針C-V量測半導體阻值

是利用金屬與磊晶層形成蕭特基接觸

而在金屬與磊晶層之間的形成空乏區

藉由改變電壓的大小

電容大小隨之改變

可測得參雜之濃度


請問這裡的空乏區就像電容器內絕緣層的概念嗎


因為非本科系

一點笨問題

還請大大指點



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推 jfsu: 它是比較像PN-junction
→ jfsu: 但卻是由多數載子主導電流，PN接面是少數載子。
→ jfsu: 公式: https://goo.gl/3ymjxf
推 Schottky: 樓上說得沒錯
→ mmonkeyboyy: 然後太薄就穿過去了
→ laminar: 那請問對於：cv量測首先要先形成MOS結構  這句話有衝突嗎
→ laminar: ？所以對於汞cv量測來說空乏層便是MOS中的O嗎？