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板上各位神人大家好 手機排版請見諒 小弟是DC菜鳥 最近研究需要用DC合成電路觀察電路的功耗 有一個部分需要用到查表所以必須要用到Memory 在功能驗證的時候一切都很順利 但是用DC合成電路的時候發現 DC似乎只會把查表的部分合成成一堆的正反器或暫存器 好在所用的製程檔裡面有sram lib和db的檔案(但.db檔案好小 只有幾百k) 我把sram的db檔放在link_library 但是合成出來還是一堆的正反器 經過幾天的google和爬文做了一些嘗試例如 把target_library也放sram的.db檔 但這樣DC會閃退 或者是不放記憶體或查表的.v檔 但是全部都沒辦法合成出memory 請求各位神人能幫個忙 謝謝QQ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 1.200.50.18 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1552931324.A.AC9.html
ys4562004: 電路的memory是用memory compiler來的 還是自己寫的二 03/19 03:06
ys4562004: 維暫存器? 03/19 03:06
ys4562004: 你的.v 檔所使用的memory 03/19 03:12
taufuck: 感謝回答 有跑過自己寫的也有製程檔裡面附的(看起來像是m 03/19 03:34
taufuck: emory compiler產生的) 03/19 03:34
taufuck: 單獨合成製程檔的.v檔功耗還蠻大的 比直接讓dc亂合成我 03/19 03:37
taufuck: 原本寫的還大 03/19 03:37
hank821017: macro合成只需要db就夠了,v是拿來給你模擬用的behavi 03/19 08:15
hank821017: or model。把v從file list移除,否則他只會一直把beha 03/19 08:15
hank821017: vior model當一般電路去合成 03/19 08:15
taufuck: 感謝回答 請問拿到.v檔後需要做什麼動作嗎 03/19 08:51
taufuck: 拿掉.v檔後 03/19 08:51
taufuck: power report的時候 memory那一欄始終都是0 03/19 08:52
ys4562004: 合成時候把memory用寫空的module去合 讓DC去接port 03/19 11:11
ilovepachaya: Memory 的power寫在db內 03/19 12:27
r901042004: 拿掉.v檔後,把design讀取進去下link指令,看macro 03/20 00:14
r901042004: 有沒有正確被讀進DC 03/20 00:14
r901042004: 不用特別寫空module,只要module name與library name 03/20 00:15
r901042004: 相同就對得起來了 03/20 00:15
taufuck: 感謝各位大大的解答 小弟大概知道怎麼用了 03/20 03:23
mmonkeyboyy: 就是做個macro放進去 03/21 10:17