→ samm3320: 電流變大Vout會上升喔,PMOS電阻變小 03/19 23:19
→ samm3320: 你的盲點在於誤以為PMOS電阻是固定的,但實際上電阻受ga 03/19 23:21
→ samm3320: te電壓控制 03/19 23:21
→ samm3320: 另外並沒有不能操作在歐姆區這回事 03/19 23:25
→ samm3320: 電流需求大,面積又要小操作在歐姆區就是不錯的選擇 03/19 23:26
→ smartbit: 用pmos電阻分析? 03/20 00:10
→ kameng: MOS G電壓下降>D電壓上升 03/20 01:07
→ Libbymo: 我的想法拉..試想 當你的Vg下降的時候 Power transistor 03/20 01:21
→ Libbymo: 需要時間反應 沒辦法瞬間提供那麼大的電流(所以傳統上需 03/20 01:21
→ Libbymo: 要外部電容幫忙) 此時Vov上升讓Vds降 03/20 01:21
→ Libbymo: 且電流增大也會使外部負載跨壓上升 03/20 01:21
→ Libbymo: (初學 有誤請樓下更正..) 03/20 01:21
→ Libbymo: 此外 通常LDO在未抽載時的mos約Vsg=|Vt| 通常在抽載過程 03/20 01:29
→ Libbymo: 都會跑到triode 若一開始就讓這個mos全開等於你的Vg小於V 03/20 01:29
→ Libbymo: dd很多 這樣Vg能跑的範圍理所當然會變小 03/20 01:29
推 kk123: PMOS 驅動電流變大,再乘以分壓電阻以致於VOUT 上升。 03/20 07:48
→ blacktea5: 你的盲點是把pmos當成固定阻抗 但實際上ldo壓降是固定 03/20 15:39
→ blacktea5: 因為負回授。釐清小訊號跟大信號的分別就知道為什麼可 03/20 15:39
→ blacktea5: 以的話還是操作在sat 03/20 15:39
噓 hero411349: 為何驅動電流變大,VDS會變大= =?電流變大乘上下 03/22 18:31
→ hero411349: 面的電阻不是電壓上升嗎?基本電子學觀念不太OK。如果 03/22 18:31
→ hero411349: 你要用電阻分壓的概念來看,只有當power mos進入三極 03/22 18:31
→ hero411349: 管區時才能當作一個阻值,三極管區Vgs變大,等校阻抗 03/22 18:31
→ hero411349: 值會變得很小如同開關,只會把Vout拉到快VDD而已且無 03/22 18:31
→ hero411349: 負回授放大功能, 03/22 18:31