[問題] MOSFET飽和電流

[yiting428 ()]

大家好

我目前所知道的是

以NMOS來說

進入飽和區之後

電子經由夾止點被注入空乏區

再被Vds造成的電場吸入D極

而正是這邊我有疑問


1. 若考慮P型基底與S極共接至外部電源負端

D極接外部電源正端

這個時候P型基底與D極(n+ type)不就形同逆偏的PN接面嗎？

如果這時候經由夾止點進入空乏區的電子都能夠被電場吸入D極

那為什麼一般的二極體逆偏時卻只有微量的漏電流？


2. 承上點，若是Vds繼續加大

不同時也是使電場強度加大

為什麼不能吸入更多數量的電子

使Id上升呢？


3. 承第1點

書上寫到二極體漏電流的產生是因為少數載子濃度

那假設我今天只看N型區

N型是摻雜5價元素，使電子濃度提高

那這樣照理來說不會有電洞阿？



因為自己是電子系學生

當時學電子學時對於材料的物理原理幾乎是忽視的

現在回頭來看發現自己所學的有點虛

請高手幫忙解惑了，謝謝！

--
→ snsdakb48: 我有個學妹 從我大二洗澡到出社會了還沒洗完…
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 36.230.201.120
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1554022586.A.D01.html
※ 編輯: yiting428 (36.230.201.120), 03/31/2019 16:57:36
推 op48: 1.S/D端 都是n+ 你說的body是p 所以相較於吸進通道內的載子
→ op48: 較少
→ op48: 2.Vd=Vdsat時 通道內載子速度飽和 多的電壓跨在D端 不會使電
→ op48: 流增加
推 op48: 3.p端的多數載子電動擴散到空乏區後 被電場抽到n端 就變成n
→ op48: 端的少數載子
推 qekezfeed: Gate 要給電場才有場效應通道啊
謝謝op大的說明！都有想通了
※ 編輯: yiting428 (36.230.201.120), 03/31/2019 23:42:58