推 smartbit: Short current 是增加的一部分 07/05 21:48
→ smartbit: 另外一個原因是因為w變大，mos drain capacitance 也會 07/05 21:48
→ smartbit: 變大 07/05 21:48
大家好
手機排版請見諒
假設一個反向器對一個電容C充電與放電
可以導出充放電的平均功率為P=f*C*Vdd^2
其中f是輸入訊號頻率，Vdd是反向器的power
問題ㄧ：
那我是否可以得出平均電流為f*C*Vdd?
問題二：
此公式看起來與P/NMOS尺寸無關
但我若加大尺寸，平均耗電在模擬上是增加的
請問中間差異是什麼呢？
是否是因為輸入訊號在轉態時造成的P/NMOS同時導通的short current ?
因為此short current 隨尺寸變大而變大
謝謝各位解答
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