[問題] MOSFET BODY順向偏壓V.S.低電壓MOSFET

[dinex ()]

根據Threshold Voltage的公式
當VSB的電壓為負的時候
Threshold Voltage就會跟著變小

那想問的是 假如現在是使用PMOS的話
可以透過抽body固定電流(大約1uA)的方式
來降低Vth在低電壓環境操作嗎?
會這樣問是因為現在製程都有提供低電壓MOSFET
但如果能用body抽固定電流為何還需要低電壓MOSFET?

謝謝大家!!!

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推 chi731022: DTMOS
→ samm3320: 一顆mos要抽1u的話power會爆表吧
→ samm3320: 隨便一顆chip也幾十萬到百萬個mos
推 samm3320: 欸我想錯了，一起抽就好，不過body有電流比較容易latch
→ samm3320:  up要看device的人願不願意給你這樣玩
謝謝大大 那想再請問一下如果改在source跟body間接一個Schottky Diode會比較好嗎？
感覺開通電壓比較低能降低latch up可能性
但有人說很少看到實務上用（？）
※ 編輯: dinex (112.104.141.77 臺灣), 06/26/2019 23:04:03
→ samm3320: 那樣加沒有拉到地的電流也沒用啊，而且diode面積不小吧
→ samm3320: 要vt低直接叫TD調就好了不用這麼麻煩
→ samm3320: 除非你是少量的類別電路要頂著用