推 jamtu: 如果NMOS的VTH是負的，負越多更容易導通阿 08/30 00:35
推 nick65415: Vt是大小是看應用而定，不是越小越好 09/03 21:23
→ mos888tw: Vt越低 漏電越大但可以達到high speed 看應用取捨 09/06 08:39
類似的額外電子載體的形成歸因於電子的捐贈 - 稱為“供體效應”(學吸附的H2O分子到Z
nO等氧化物的表面.14-16這是合理的假設由H2O分子誘導的額外電子可以形成具有高電子
濃度的背溝道層，導致更高的負電壓，更低的Vth ，從而耗盡溝道層。)
所以一般mos fet Vth是接近零越理想？
Vth如果是負電壓，負值如果太高是不是更難導通呢？
感謝大家
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 223.139.125.230 (臺灣)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1566921279.A.F4D.html