[請益] 電子學的body effect跟短通道效應的疑問

[me8z7gnk (SONG-SONG)]

Body effect: 在body施加比S極更低的電壓  空乏區往通道延伸

空乏區變大 使閥值電壓(Vt)變大


short channel effect:在D極施加高電壓 D極的空乏區變大

通道變短 使閥值電壓(Vt)變小


疑問是:兩者空乏區都會變大 通道變短

一個使Vt變高 一個使Vt變低


問一下差別在哪 希望高手解惑謝謝

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推 BaaaSwin: 一個還沒導通 一個已經導通
→ me8z7gnk: 謝謝B大 雖然還沒搞懂你的意思 不過謝謝回答
→ Archer55b6: short channel effect強調整個MOS size小而不是VDS電
→ Archer55b6: 壓吧？
→ samm3320: SCE一般是在講DIBL吧，會跟VDS有關啊
推 KaryuuIssen: 理論上通道空乏區大的話  Vt應該是要變大沒錯
→ KaryuuIssen: 但SCE的通道空乏區變大其實主要是因為D極的空乏區
→ KaryuuIssen: 擴張到通道所導致的  S,D兩極在SCE的情況下反而能與
→ KaryuuIssen: 通道共享更多部份的空乏區  讓Gate方不需要加那麼多
→ KaryuuIssen: 電壓來讓通道反轉
→ me8z7gnk: 謝謝K大 講法合情合理
推 Elecbone: 我想B大的意思是，channel length modulation發生在通道
→ Elecbone: 已經形成後，接著被空乏擠壓通道，電流上升。  唉！不過
→ Elecbone: 我還是不知道原po問題的答案…