推 me8z7gnk: 謝謝D大 使D極的空乏區擴散到G極的下面 08/10 07:49
→ me8z7gnk: 這句話讓我想通了 08/10 07:49
（以NMOS為例）
Body effect：
可以想成S的電壓較高（相較於SB都解Gnd)，會從通道吸走一些電子，因此G需要吸引更多的電子才能維持反轉通道（Vt上升），所以Vg要更高
short channel effect
有點類似sat後造成的非線性效應，成因跟DIBL一樣，重點是強調Vd太高，使D的空乏區擴散到G下面，並且也是高電位，所以會吸引電子，被當成通道用，所以Vt等同於下降
而對於短通道元件，同樣是通道內縮0.1um，對L=1um的影響絕對是大於L=5um的元件
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