作者chesterhaha (chesterhaha)
看板Electronics
標題bootstrapped switch
時間Wed Apr 7 17:11:30 2021
版上各位好,想請問以下兩個bootatrapped switch的差別,圖如下
1. Razavi paper中看到的
https://i.imgur.com/jGl7Df9.jpg
2. 大部分paper中看到的
https://i.imgur.com/ZJjYoUv.jpg
2.中多了紅色圈起來的3個mos
類似用一個Inverter做出1.中M8的clkb
但他同時還是有使用clkb的訊號
目前唯一能想到的是希望M8的clkb能有小的delay
做出一個non-overlapped的效果
不過模擬結果兩個switch的表現幾乎是一樣的
所以想問多用了3個mos的效果是什麼呢?
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 42.72.234.178 (臺灣)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1617786692.A.1C5.html
→ blacktea5: 為了解決第一張圖m8在訊號高低有打不開的狀況04/07 17:34
可以更進一步問M8會在什麼情況下打不開嗎?
我的想法是M8是Pmos,所以P點隨信號高低只會大於vdd,所以clkb=0的話應該都能打開,
這樣對嗎?謝謝
※ 編輯: chesterhaha (42.72.234.178 臺灣), 04/07/2021 18:19:41
※ 編輯: chesterhaha (42.72.234.178 臺灣), 04/07/2021 18:32:45
→ blacktea5: 我說錯了,應該是vgs8會超過兩倍vdd04/07 23:24
→ blacktea5: 如果你測sfdr都沒差就是這個問題04/07 23:30
好的
所以應該比較像是保護M8的功能
感謝!!
※ 編輯: chesterhaha (42.72.234.180 臺灣), 04/08/2021 01:51:23