[問題] 關於vth

[darksoul8507 (soul)]

各位前輩大家好：

本來小弟對mos的臨界電壓vth會改變的認知是像電子學上面提到的，會因為bodyeffect而
改變，
但是實際去sim hspice時發現vth會因為尺寸或是其他原因而改變，
想要請問一下mos元件的vth會因為什麼改變以及改變的原因為何？

謝謝各位大大

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→ samm3320: Short channel effect
→ samm3320: STI effect
推 tino676767: Hspice可以查BSIM4 manual
推 bt092001: 還有wpe跟lod effect，半導體元件本身就不是理想的，光
→ bt092001: 是物理od 的長相不一樣或是不同種類mos蓋的光罩層不一
→ bt092001: 樣，一定會也有差，甚至離body距離也有差，覺得不用糾
→ bt092001: 結這部分，如果想詳知原理可以查樓上先進還有這邊提到
→ bt092001: 的關鍵字，實務上只要知道怎用，透過製程廠的manuel 大
→ bt092001: 概知道不同元件的範圍即可
推 a12349221: vth公式很長一串，網路上找找
→ darksoul8507: 喔喔本來以為vth大概是定值或是與WL的比例有一定趨
→ darksoul8507: 勢關係
→ darksoul8507: 感謝樓上各位先進的回覆
推 joshhuang100: 柵極功函數, 基板參雜/材料
推 yoyoyoyoman: 半導體物理去看一下MOS那章就知道了
推 hellk: 大學課本的vth  沒有參考製程因素的簡化公式把
→ hellk: 真的把每個參數 套入不同製程的公式 會變成超長一串
推 ioeve: lod, wpe, pse,...... ...
→ mmonkeyboyy: 就看bsim啊