[問題] N/P mos 相同Pkg size下的Rds on何者較大

[YoshiLo (耀西羅)]

目前對於何者較大的問題很困擾

透過Early voltage的公式推導

假設Ids 相同情況下

因為N的mobility為P的兩倍多左右

那代表須提高Pmos的寬度

但這樣就無法以相同pkg size下作比較

想請問有什麼驗證能實際推倒出何者的導通電阻較大

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 42.73.96.49 (臺灣)
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→ Bomy5566: 經驗跟你說 4倍 PMOS 20k NMOS 5 k 我是這樣記阻值 當開
→ Bomy5566: 關用
→ samm3320: Early voltage怎麼會當開關用，應該在sat吧
→ samm3320: Ro如果Id Vod 都訂了那就調L吧
推 mmonkeyboyy: 看製程吧  那不是線性的  還要看l