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在開關電路中 因為開關暫態現象導致切換時會有動態損耗發生 一般說明也只會丟ID-VD的圖, VD緩步上升時,ID沒有馬上降到零所以有功耗, 配合文字"是因為MOSFET電容造成的, 但沒有解釋原理, 還有ZCS與ZVS如何達成的原理也沒解釋, 請問有哪個資料會說明比較詳細? 感謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 110.26.0.97 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1654700362.A.068.html
samm3320: clock不斷在跑的時候,mos的寄生電容會一直進行充放電造 06/09 01:19
samm3320: 成的功耗 06/09 01:19
samm3320: 你去修任何一門VLSI 的課都會講 06/09 01:20
DamnKobe: 找ti driver的application notes 這一般再加上VGS圖會 06/09 01:23
DamnKobe: 比較好瞭解吧 06/09 01:23
samm3320: https://reurl.cc/NADgmk 06/09 01:24
samm3320: 把這個網站看完應該差不多了 06/09 01:24
DamnKobe: ZVS, ZCS基本概念應該可以說成讓電壓/電流產生想要的相 06/09 01:24
DamnKobe: 位差吧 06/09 01:25
samm3320: ZVS ZCS好像已經比較power專門了 06/09 01:30
icesweater: dynamic loss, switching loss,領域不同叫法不一樣, 06/10 13:25
icesweater: 不過都是看導通時的mos寄生電容跨壓 06/10 13:25
macgyfu: al%20Document/AN005?ForceDevice=1&devicename=Richtekw 06/13 09:02
macgyfu: eb&sc_lang=zh-TW 06/13 09:02
macgyfu: https://reurl.cc/p14vVl 06/13 09:19