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小弟有個問題,一般在晶圓廠量測Vth的方式通常如下 (1) 固定Vds (ex: 0.9V),然後掃Vgs,當量到Id=Itar*(W/L)時 記錄當下的Vgs=Vth 其中Itar一般設定100nA 可是最近在看一般功率元件的MOSFET data sheet時,不管是Si or GaN or SiC 很多都是用如下的方式在取Vth (2) Vgs=Vds, Id=250uA 這裡想請教的是(2)裡面為什麼要讓Vgs=Vds ? 又為何Id要固定在250uA這個數字? 謝謝!! -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 123.205.139.101 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1662473126.A.3EB.html
god145145: 我猜是以前IV機最合適的設定就這樣 09/07 19:17
godnnn: Itar is not always 100nA. it depends on usage and re 09/08 00:03
godnnn: quirement of device. 09/08 00:03