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小弟最近在研究FinFET製程中Poly的profile 想問各位大大我的認知是不是正確的: 示意圖中poly的gate height位子 會作成上寬下窄是為了在poly remove好把poly 掏乾淨 及好填work function metal填的好; 而在poly fin top 到poly fin bottom中Fin bottom的poly做的寬是為了降DIBL 如示意圖: https://i.imgur.com/mgXBEyn.jpg
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joshhuang100: 整體來說沒問題 唯一一個bug 是fin top 的necking 09/01 22:47
joshhuang100: 其實會讓WFM難吃掉,所以怎麼維持上端的funnel 到底 09/01 22:47
joshhuang100: 部footing 是很難的課題 09/01 22:47
Johnson1005: 瞭解,謝謝 09/04 19:21