Re: [問題] 為什麼IGZO做的TFT不用做P//N

[deathcustom (Full House)]

※ 引述《a1106abc (HP都陷入內戰中)》之銘言：
:
: RT
: 好奇問一下
: 網上的IGZO TFT的結構
:  https://i.imgur.com/GXGkwnQ.jpeg
: Source/Drain 直接IGZO接金屬
: 為何不用P/N/P或N/PN （一般電晶體不都這結構）
:  https://i.imgur.com/fsIudzE.jpeg
: 這張source/Drain是打N+
: 但本質IGZO不是N type嗎
: 不就變成N+/N/N+結構～～
: 有人能解惑嗎？


是

你沒有說錯

給你一個我9年前幫友達寫的專利你看完應該可以更了解整個架構及運作原理

TW I569327/CN 105140295B/US 9865745B2

https://patents.google.com/patent/TWI569327B/en?oq=I569327

幫你摘錄一下

圖2G、4A~4B

段落0017~0019

通道區(TP)本身的摻雜為N，其實半導體在通道沒建立的狀況下都視同絕緣(4A)

兩側的N+當SD電壓低、G電壓高的時候(4B)，電子會被吸到靠近閘極側而形成通道

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 211.23.191.211 (臺灣)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1714618776.A.6C2.html
※ 編輯: deathcustom (211.23.191.211 臺灣), 05/02/2024 15:55:19
推 a1106abc: 所以S/D還是要N+?我看有些結構S/D沒有特別打耶～厚度要
→ a1106abc: 20nm以下才可以？
推 a1106abc: 一定要有機介電層？一般oxide不行嗎？
→ deathcustom: 你講的那些點是這篇專利的特點，我要讓你看的是那幾
→ deathcustom: 段敘述的"作用原理"QQ
推 a1106abc: 再問一下這樣的結構是JL-Fet(無結場效電晶體）還是Fe-
→ a1106abc: Fet(鐵電場效電晶體）？
→ deathcustom: 從日本回來了，我當初看的時候認為是JL
推 a1106abc: 當我的閘極overlap S/D的狀況S/D就不用打N+只要有歐姆
→ a1106abc: 接觸～這樣對嗎？如果沒有overlap為了越過沒有閘極控制
→ a1106abc: 的那段高電阻區才需要打N+?感謝你的耐心回答～