推 dragon048: 以印象回答你,如果確定電流鏡的FET完全匹配可以視為 10/15 16:29
→ dragon048: 一樣的,它的大小變化主要是取取於雙方的K的比例 10/15 16:30
→ dragon048: 如果為BJT的話因為有BETA效應故再算"純直流"題目時不能 10/15 16:32
→ dragon048: 視為一樣 10/15 16:33
→ dragon048: 個人推測兩顆MOS匹配情況下就算考慮額利效應還是會一樣 10/15 16:52
→ dragon048: 因為匹倍的兩顆MOS特性取線將一致 10/15 16:53
推 cc102938: 題目的Q4 = Q3 (也就是 K值 Vt都相同) Io=Iref 10/15 17:01
→ mattw166: 我已經了解了!!!感謝D大和C大的解析!!! 10/15 19:22
推 yainman: 如果考慮early effect會不一樣(因為Vds不一樣),但是一 10/15 19:25
→ yainman: 般來說FET不考慮,而是考慮vt的效應! 10/15 19:25
→ mattw166: 還有的是,bjt電流鏡為什麼beta趨近於無窮大會使Ic=Ie? 10/15 19:40
→ mattw166: 還有想問一下,像Y大講的,是在什麼情況下VDS才會想同, 10/15 19:46
→ mattw166: 我知道因為參雜方式的關係,vt會相同這樣 10/15 19:46
→ mattw166: 當p sub相同時vA會相同 10/15 19:47
推 dragon048: BETA趨近無窮大的話Ic=Ie請自行思考alpha跟beta的數學 10/15 22:16
→ dragon048: 關係式 10/15 22:16
推 cc102938: beta無窮大 alpha趨近於1 10/15 22:58