[課業] 電子學body effect跟短通道效應的問題

[me8z7gnk (SONG-SONG)]

Body effect: 在body施加比S極更低的電壓  空乏區往通道延伸

空乏區變大 使閥值電壓(Vt)變大


short channel effect:在D極施加高電壓 D極的空乏區變大

通道變短 使閥值電壓(Vt)變小


疑問是:兩者空乏區都會變大 通道變短

一個使Vt變高 一個使Vt變低

問一下差別在哪 希望高手解惑謝謝

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推 a22222a4210: 一個是基板不是接地電位 一個是通道因為電壓變大空乏
→ a22222a4210: 區擴增使電子通道長度變短
→ a22222a4210: 阿看錯了 短通道是因為通道尺寸變小所以空乏區的佔比
→ a22222a4210: 相較長通道大 所以會明顯影響Vt
→ a22222a4210: 簡單來說Body effect跟通道尺寸無關 短通道效應在通
→ a22222a4210: 道很小的時候才會比較明顯影響 詳細的還是去看書吧
→ a22222a4210: Neamen的書寫的算白話也有中譯版了
→ me8z7gnk: 謝謝a大 我會再去看書 不過body effect會使空乏區變大
→ me8z7gnk: 應該也會影響通道長度才對 這點還是不懂
推 liushengzhe: 大概的講法是：
→ liushengzhe: 閘極不只要先能建立空乏區，而且要能控制與它下方整
→ liushengzhe: 個空乏區電荷量相等的電荷，通道然後才能夠建立，因
→ liushengzhe: 此BE越嚴重，Vt值就越大。
→ liushengzhe: 當汲極電壓夠大，汲極控制的空乏區就會深入閘極下方
→ liushengzhe: 跟閘極爭搶MOS的控制。此時元件長度若太短，閘極電
→ liushengzhe: 壓將無法完全控制MOS的關閉，而汲極空乏區夠大，甚
→ liushengzhe: 至延伸至源極空乏區，還導致DIBL，此時無需閘極，橫
→ liushengzhe: 向電場就足以讓汲極直接從源極吸引載子造成漏電流，
→ liushengzhe: 這就相當於是Vt值下降。
→ me8z7gnk: 謝謝L大 講法很合理