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請教兩題電子學 108電子技師第三題 https://i.imgur.com/JMvWNB4.jpg https://i.imgur.com/PsIPQiT.jpg 我想問為什麼解答上的Vsig=Vgs ? 我自己寫的Vgs電壓是在1/gm 上的分壓 另外解答的RoA是不是少算RL了? 104電子技師第五題 第2小題 https://i.imgur.com/ArzibnZ.jpg https://i.imgur.com/amsuuEm.jpg 為什麼MD2與MD3為歐姆區? https://i.imgur.com/8owvOoI.jpg 我自己分析的結果ML2為空乏型NMOS,通道永遠都在,那Vo2的電容一定充到滿5V, MD2與MD3分析結果為飽和區。 以上兩題,請教一下各位 先謝謝各位了。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 111.250.44.144 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Examination/M.1647050991.A.A7D.html
falsebliss: 我覺得,vgs=vsig是因為負回授電路已經拆開了,你可以 03/12 14:56
falsebliss: 比較一下小訊號電路第一張圖與第二張圖的差別。 03/12 14:56
liushengzhe: 1.如果解答的A電路你承認是正確的,那麼因為A電路的 03/19 12:42
liushengzhe: 輸入是開路,Rs沒有電流,因此vsig=vgs。至於你怎麼 03/19 12:42
liushengzhe: 解?你沒秀出來,就無法說明差異。 03/19 12:42
liushengzhe: 2.請注意題題圖Rof的位置,不就已經告訴你Rof不含RL 03/19 12:42
liushengzhe: ? 03/19 12:42
liushengzhe: 3.並非空乏型晶體永遠導通,vo2就一定得是5V,在邏 03/19 12:42
liushengzhe: 輯電路中,你指的空乏NMOS是稱為pull up的元件,其 03/19 12:42
liushengzhe: 作用只等同一根(弱)電阻,當底下跟它連接的MOS全都o 03/19 12:42
liushengzhe: ff時,vo2就藉由空乏NMOS 弱弱的pull up到5 V,但是 03/19 12:42
liushengzhe: 當它底下的MOS有任一個導通,而且設計的寬長比使其 03/19 12:42
liushengzhe: 導通能力還比空乏NMOS還強很多,那麼vo2就會被扯到 03/19 12:42
liushengzhe: 地。 03/19 12:42
falsebliss: 關於Roa部分,我覺得應該要加上RL, Roa經過(1+AB)修 03/20 09:23
falsebliss: 正後,再扣除掉並聯的RL,請問這樣觀念有錯嗎? 03/20 09:23
liushengzhe: 喔!抱歉我眼殘,誤認樓主問的是Rof!若是問Roa,則 03/20 10:27
liushengzhe: f大大您說的才是正確的! 03/20 10:27